RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
96
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2374
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link