RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2620
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link