Porównanie pamięci RAM Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

71 96

Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

6.4 1,336.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 6400

Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

438 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns