RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
96
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3729
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link