RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
18.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
15.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3465
3389
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link