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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
66
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2429
2925
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparações de RAM
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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