RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparar
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1677
3606
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link