RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1654
2340
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link