RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
76
94
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
76
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
1587
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link