RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
94
Por volta de -327% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
22
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3024
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link