RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
94
Por volta de -292% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
24
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3257
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link