RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
94
Por volta de -141% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
39
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link