RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
3693
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link