RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
3726
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link