RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
3593
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link