RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.1
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2330
2336
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparações de RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link