RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
29
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
22.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
16.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2771
3792
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-4GBSQ 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link