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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
30
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2771
2709
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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