RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
56
65
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
65
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
2058
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link