RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
56
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,925.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,315.2
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,925.7
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
658
1767
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparações de RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KVR648-MIN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link