RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
52
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
13.1
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
3337
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link