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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
52
Por volta de -136% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
4200
Por volta de 4.57 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
9.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
19200
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2611
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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