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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
66
Por volta de -267% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.3
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
18
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3778
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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