RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
66
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
3334
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB Comparações de RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link