RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
66
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
53
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
2319
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link