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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,285.0
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
68
Por volta de -224% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,165.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,285.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3437
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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