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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,285.0
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
68
Por volta de -152% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,165.3
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,285.0
17.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
784
3956
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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