RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
85
Por volta de 46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.4
2,061.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
85
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
5.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
1277
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link