RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3112
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link