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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
36
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2935
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
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