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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
33
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2987
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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