RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2690
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link