RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
30
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
2709
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link