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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
30
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
19
30
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
6.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
1479
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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