RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
66
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1912
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link