RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2795
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link