RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2595
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link