RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3283
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link