RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de 42% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3233
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link