RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
22.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3837
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link