RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
38
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
8.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
8.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
1999
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link