RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2613
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link