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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2497
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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