RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
63
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
63
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2061
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link