RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
14.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2938
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link