RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparar
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Pontuação geral
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
26
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.6
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
20
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
16.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3077
3866
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link