Comparação RAM Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

17 38

Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

22.8 15.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.4 12.0

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

25600 10600

Por volta de 2.42 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3391 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns