RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
55
Por volta de 69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
17
55
Velocidade de leitura, GB/s
22.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.4
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3391
2232
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link