RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Comparar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de -28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
9.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
2407
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link