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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Pontuação geral
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
59
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
59
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1683
1954
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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